현재 기억장치로 널리 사용되는 플래시 메모리보다 정보 처리 속도가

1천배 이상 빠른 메모리 소자를 국내 연구진이 개발했다.

2일 건국대와 서울대, 한국연구재단은 건국대 물리학부 이상욱 교수팀과 서울대 박영우 교수팀이

탄소나노튜브와 마이크로 전기역학 시스템을 기반으로

기존 플래시 메모리를 대체할 수 있는 비휘발성(전기 공급 없이 데이터 보존) 메모리 셀을 만드는 데 성공했다고 밝혔다.

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